창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM60N02-3M9P-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUM60N02-3M9P | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.9m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5950pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 3.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUM60N02-3M9P-E3 | |
관련 링크 | SUM60N02-, SUM60N02-3M9P-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | H81K07BZA | RES 1.07K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H81K07BZA.pdf | |
![]() | PHD55N30CLT | PHD55N30CLT ORIGINAL TO-152 | PHD55N30CLT.pdf | |
![]() | PMR209ME6220M470R30 | PMR209ME6220M470R30 RIFA DIP | PMR209ME6220M470R30.pdf | |
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![]() | N1AB | N1AB N/A SOT-323 | N1AB.pdf | |
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![]() | 12505WS-10(p) | 12505WS-10(p) YEONHO PB-FREE | 12505WS-10(p).pdf | |
![]() | MC78M18CP | MC78M18CP MOT TO220 | MC78M18CP.pdf | |
![]() | SM28911D | SM28911D ORIGINAL SOP16 | SM28911D.pdf | |
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