창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM50020EL-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUM50020EL | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | Medium Voltage MOSFETS for Industrial Applications | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 126nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11113pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SUM50020EL-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUM50020EL-GE3 | |
관련 링크 | SUM50020, SUM50020EL-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
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![]() | 402F30733CJR | 30.72MHz ±30ppm 수정 9pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30733CJR.pdf | |
![]() | 3094R-334KS | 330µH Unshielded Inductor 41mA 29 Ohm Max 2-SMD | 3094R-334KS.pdf | |
![]() | RC1218DK-0715R8L | RES SMD 15.8 OHM 1W 1812 WIDE | RC1218DK-0715R8L.pdf | |
![]() | K4R271669A-NCK8 | K4R271669A-NCK8 SAMSUNG BGA | K4R271669A-NCK8.pdf | |
![]() | 160293 | 160293 TYCO SMD or Through Hole | 160293.pdf | |
![]() | 6264KM6264BL-10 | 6264KM6264BL-10 GENERIC SOP8 | 6264KM6264BL-10.pdf | |
![]() | LTC-LEG2 | LTC-LEG2 LT LGA | LTC-LEG2.pdf | |
![]() | 551782071 | 551782071 MOLEX SMD or Through Hole | 551782071.pdf | |
![]() | STP55NE06F | STP55NE06F ST TO-220F | STP55NE06F.pdf |