창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUM110P06-08L-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUM110P06-08L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 3.75W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | SUM110P06-08L-E3TR SUM110P0608LE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUM110P06-08L-E3 | |
| 관련 링크 | SUM110P06, SUM110P06-08L-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | GRM1885C2A330JA01D | 33pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1885C2A330JA01D.pdf | |
|  | BK/GBH-V016A6FR | BUSS SEMICONDUCTOR 500V | BK/GBH-V016A6FR.pdf | |
|  | MT230A-UR-A | MT230A-UR-A TOSHIBA ROHS | MT230A-UR-A.pdf | |
|  | M5M418165CJ-6S | M5M418165CJ-6S ORIGINAL SOJ | M5M418165CJ-6S.pdf | |
|  | RC5036AM | RC5036AM RAYTHEON SOP-16 | RC5036AM.pdf | |
|  | MBR5001 | MBR5001 HY/ SMD or Through Hole | MBR5001.pdf | |
|  | BSS225 L6327 | BSS225 L6327 Infineon SMD or Through Hole | BSS225 L6327.pdf | |
|  | ENFVK1G2F47 | ENFVK1G2F47 PANASONIC SMD | ENFVK1G2F47.pdf | |
|  | ECKDRS222MEY | ECKDRS222MEY ORIGINAL DIP | ECKDRS222MEY.pdf | |
|  | RPE122-901R274K50 DIP-274K | RPE122-901R274K50 DIP-274K MURATA SMD or Through Hole | RPE122-901R274K50 DIP-274K.pdf |