창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM110P06-07L-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUM110P06-07L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1659 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.9m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 345nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 3.75W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SUM110P06-07L-E3TR SUM110P0607LE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUM110P06-07L-E3 | |
관련 링크 | SUM110P06, SUM110P06-07L-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
RC0805FR-07105KL | RES SMD 105K OHM 1% 1/8W 0805 | RC0805FR-07105KL.pdf | ||
CMF5542K200FKEB70 | RES 42.2K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5542K200FKEB70.pdf | ||
XC56F807PY80 | XC56F807PY80 FREESCALE LQFP160 | XC56F807PY80.pdf | ||
300UR120 | 300UR120 IR SMD or Through Hole | 300UR120.pdf | ||
100K 1% 0603 | 100K 1% 0603 ORIGINAL SMD or Through Hole | 100K 1% 0603.pdf | ||
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IDT79R36100-25MS | IDT79R36100-25MS IDT QFP208 | IDT79R36100-25MS.pdf | ||
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ID9301-33A5OR | ID9301-33A5OR ORIGINAL SOT23-5 | ID9301-33A5OR.pdf | ||
TT7167-3.0 | TT7167-3.0 TD SOT-23 | TT7167-3.0.pdf | ||
2-1586019-2 | 2-1586019-2 TYCO NA | 2-1586019-2.pdf | ||
656 30 001251 | 656 30 001251 KB SMD or Through Hole | 656 30 001251.pdf |