창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUM110N04-2M1P-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUM110N04-2M1P | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 29A(Ta), 110A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 360nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18800pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 3.13W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263(D2Pak) | |
표준 포장 | 800 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUM110N04-2M1P-E3 | |
관련 링크 | SUM110N04-, SUM110N04-2M1P-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | DNA30EM2200PC | DIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263 | DNA30EM2200PC.pdf | |
![]() | 2SJ652-1E | MOSFET P-CH 60V 28A TO-220FP-3 | 2SJ652-1E.pdf | |
![]() | CMF55681R00BHEB | RES 681 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55681R00BHEB.pdf | |
![]() | DM74LS378N | DM74LS378N NS SMD or Through Hole | DM74LS378N.pdf | |
![]() | UNR521N00L | UNR521N00L PANASONIC SOT-23 | UNR521N00L.pdf | |
![]() | UMK105BJ333JD-T | UMK105BJ333JD-T TAIYO SMD | UMK105BJ333JD-T.pdf | |
![]() | X9408YV24 | X9408YV24 XICOR TSSOP-24 | X9408YV24.pdf | |
![]() | 3520-12-711 | 3520-12-711 COTO SMD or Through Hole | 3520-12-711.pdf | |
![]() | RLZTE1122B | RLZTE1122B ROHM LL34-22V | RLZTE1122B.pdf | |
![]() | C1220X7R1C104MT000N | C1220X7R1C104MT000N TDK SMD or Through Hole | C1220X7R1C104MT000N.pdf | |
![]() | TP0101TS-T1-GE3 | TP0101TS-T1-GE3 VISHAY SOT-23 | TP0101TS-T1-GE3.pdf | |
![]() | MAAM-008819-000 | MAAM-008819-000 MA/COM SMD or Through Hole | MAAM-008819-000.pdf |