창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD50P10-43L-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUD50P10-43L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37.1A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 43m옴 @ 9.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 136W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SUD50P10-43L-E3-ND SUD50P10-43L-E3TR SUD50P1043LE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUD50P10-43L-E3 | |
관련 링크 | SUD50P10-, SUD50P10-43L-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 332M2KV | 332M2KV ORIGINAL SMD or Through Hole | 332M2KV.pdf | |
![]() | ERB81-004 T/B | ERB81-004 T/B ORIGINAL SMD or Through Hole | ERB81-004 T/B.pdf | |
![]() | CA45 A 33UF 4V M | CA45 A 33UF 4V M TASUND SMD or Through Hole | CA45 A 33UF 4V M.pdf | |
![]() | M1565VF440 | M1565VF440 WESTCODE MODULE | M1565VF440.pdf | |
![]() | M1155 | M1155 OKI DIP | M1155.pdf | |
![]() | MC10LVE210 | MC10LVE210 ON PLCC28 | MC10LVE210.pdf | |
![]() | 3SMC78A | 3SMC78A Centralsemi SMC | 3SMC78A.pdf | |
![]() | SM2A688M35080 | SM2A688M35080 SAMW DIP | SM2A688M35080.pdf | |
![]() | MAX4624ZT-T | MAX4624ZT-T MAXIM SOT23-6 | MAX4624ZT-T.pdf | |
![]() | AT-51CD2/6MHZ LN-N | AT-51CD2/6MHZ LN-N NDK SMD or Through Hole | AT-51CD2/6MHZ LN-N.pdf | |
![]() | K9HCGZ8U1M-SCK0 | K9HCGZ8U1M-SCK0 Samsung TSOP | K9HCGZ8U1M-SCK0.pdf | |
![]() | SE1H474M04005BB280 | SE1H474M04005BB280 SAMWHA SMD or Through Hole | SE1H474M04005BB280.pdf |