창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUD50P10-43L-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUD50P10-43L | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 37.1A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 43m옴 @ 9.2A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 160nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4600pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 136W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | SUD50P10-43L-E3-ND SUD50P10-43L-E3TR SUD50P1043LE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUD50P10-43L-E3 | |
| 관련 링크 | SUD50P10-, SUD50P10-43L-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | SSM3J325F,LF | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI | SSM3J325F,LF.pdf | |
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![]() | FR104/RS07G | FR104/RS07G ORIGINAL SOD-123FL | FR104/RS07G.pdf | |
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![]() | BN1A4P/JM | BN1A4P/JM NEC TO-92S | BN1A4P/JM.pdf | |
![]() | ADT7437ARQZ-1R7 | ADT7437ARQZ-1R7 ON SMD or Through Hole | ADT7437ARQZ-1R7.pdf | |
![]() | 54HCT161F3A | 54HCT161F3A HAR CDIP-16 | 54HCT161F3A.pdf | |
![]() | NESM026A | NESM026A NICHIA ROHS | NESM026A.pdf | |
![]() | RN2406(TE85L | RN2406(TE85L Toshiba SMD or Through Hole | RN2406(TE85L.pdf | |
![]() | CH010M0330REF-0810 | CH010M0330REF-0810 YAGEO SMD | CH010M0330REF-0810.pdf | |
![]() | 4206828-0002 | 4206828-0002 ORIGINAL BGA | 4206828-0002.pdf |