창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD50N04-09H-E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUD50N04-09H | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 85nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3700pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 83.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUD50N04-09H-E3 | |
관련 링크 | SUD50N04-, SUD50N04-09H-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | 1566508-2 | 1566508-2 AMP SMD or Through Hole | 1566508-2.pdf | |
![]() | CHM10127P7. | CHM10127P7. CHENMKO NA | CHM10127P7..pdf | |
![]() | IRG4BAC50W-S | IRG4BAC50W-S IR D2PAK | IRG4BAC50W-S.pdf | |
![]() | TMP47C443N-CH78 | TMP47C443N-CH78 TOS DIP28 | TMP47C443N-CH78.pdf | |
![]() | DF37NC-60DS-0.4V(51) | DF37NC-60DS-0.4V(51) HRS PCS | DF37NC-60DS-0.4V(51).pdf | |
![]() | SBL10L30-E3 | SBL10L30-E3 VISHAY TO-220-2 | SBL10L30-E3.pdf | |
![]() | 855-S1711-06R | 855-S1711-06R HARWIN/WSI SMD or Through Hole | 855-S1711-06R.pdf | |
![]() | 215R4BASA22 (RAGE 128VR) | 215R4BASA22 (RAGE 128VR) ATi BGA | 215R4BASA22 (RAGE 128VR).pdf | |
![]() | HD14075 | HD14075 HIT DIP | HD14075.pdf | |
![]() | MAX4297EAG | MAX4297EAG MAX SOP | MAX4297EAG.pdf | |
![]() | TPA2000D1TPWR | TPA2000D1TPWR ORIGINAL TSSOP-16 | TPA2000D1TPWR.pdf |