창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD50N03-06AP-T4E3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUD50N03-06AP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUD50N03-06AP-T4E3 | |
관련 링크 | SUD50N03-0, SUD50N03-06AP-T4E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008BI-12-33S-8.0000000D | OSC XO 3.3V 8MHZ ST | SIT8008BI-12-33S-8.0000000D.pdf | |
![]() | FDA000021 | 100MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 35mA Enable/Disable | FDA000021.pdf | |
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![]() | FR8203 | FR8203 IR TO252 | FR8203.pdf | |
![]() | 16VT175NEL | 16VT175NEL LIT Strap | 16VT175NEL.pdf | |
![]() | RTT032433FTP | RTT032433FTP ORIGINAL SMD or Through Hole | RTT032433FTP.pdf | |
![]() | RN55E3650B | RN55E3650B DALE SMD or Through Hole | RN55E3650B.pdf | |
![]() | SG-8002JF-1.843200MHZ | SG-8002JF-1.843200MHZ SEIKO X-TAL1.8432MHz | SG-8002JF-1.843200MHZ.pdf | |
![]() | RJ3-35V470ME3 | RJ3-35V470ME3 ELNA DIP | RJ3-35V470ME3.pdf | |
![]() | MAX6384XS44D4 | MAX6384XS44D4 MAXIM SC70-4 | MAX6384XS44D4.pdf | |
![]() | 3410FJ142M400HPA1 | 3410FJ142M400HPA1 CDE DIP | 3410FJ142M400HPA1.pdf | |
![]() | RBAQ24TE103J | RBAQ24TE103J KOA SMD or Through Hole | RBAQ24TE103J.pdf |