창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUD50N03-06AP-T4E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUD50N03-06AP | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.7m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 83W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUD50N03-06AP-T4E3 | |
| 관련 링크 | SUD50N03-0, SUD50N03-06AP-T4E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 416F27123CTT | 27.12MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27123CTT.pdf | |
![]() | CPF1206B634RE1 | RES SMD 634 OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B634RE1.pdf | |
![]() | NFS#PBF | NFS#PBF LT SMD or Through Hole | NFS#PBF.pdf | |
![]() | LM2674MX-5.0NOPB | LM2674MX-5.0NOPB NSC SOP8 | LM2674MX-5.0NOPB.pdf | |
![]() | RM239012 | RM239012 ORIGINAL DIP | RM239012.pdf | |
![]() | F304BF25V | F304BF25V NA QFP | F304BF25V.pdf | |
![]() | TSN16A-1002FP | TSN16A-1002FP ORIGINAL SOP16 | TSN16A-1002FP.pdf | |
![]() | BLM41P181SGTM | BLM41P181SGTM MURATA SMD or Through Hole | BLM41P181SGTM.pdf | |
![]() | HAI-2405-5 | HAI-2405-5 HARRAS CDIP16 | HAI-2405-5.pdf | |
![]() | IDT75P52100S100BS | IDT75P52100S100BS IDT BGA | IDT75P52100S100BS.pdf | |
![]() | BT6955 | BT6955 PTC SOP24 | BT6955.pdf | |
![]() | 10SXV220M8X10.5 | 10SXV220M8X10.5 RUBYCON SMD or Through Hole | 10SXV220M8X10.5.pdf |