홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » SUD50N03-06AP-E3

Vishay BC Components SUD50N03-06AP-E3

SUD50N03-06AP-E3
제조업체 부품 번호
SUD50N03-06AP-E3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 90A TO252
데이터 시트 다운로드
다운로드
SUD50N03-06AP-E3 가격 및 조달

가능 수량

12550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 741.31200
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 SUD50N03-06AP-E3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SUD50N03-06AP-E3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SUD50N03-06AP-E3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
SUD50N03-06AP-E3 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SUD50N03-06AP-E3 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SUD50N03-06AP-E3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서SUD50N03-06AP
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
PCN 조립/원산지Assembly Site Add 9/Jun/2016
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C90A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.7m옴 @ 20A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs95nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3800pF @ 15V
전력 - 최대83W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지TO-252,(D-Pak)
표준 포장 2,000
다른 이름SUD50N03-06AP-E3-ND
SUD50N03-06AP-E3TR
SUD50N0306APE3
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)SUD50N03-06AP-E3
관련 링크SUD50N03-, SUD50N03-06AP-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통
SUD50N03-06AP-E3 의 관련 제품
91pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D910GLCAC.pdf
RES SMD 61.9 OHM 1% 3/4W 2010 AC2010FK-0761R9L.pdf
TNR14V221K ORIGINAL SMD or Through Hole TNR14V221K.pdf
SI91841DT-285-T1 VISHAY SOT23-5 SI91841DT-285-T1.pdf
JM20339 C JMICRON QFP JM20339 C.pdf
2SC2240-Y TOSHIBA SMD or Through Hole 2SC2240-Y.pdf
TAP227M010SCS AVX DIP-2 TAP227M010SCS.pdf
TMS44100DM TI SOJ20 TMS44100DM.pdf
NCP4569DM28R2 ONS SMD or Through Hole NCP4569DM28R2.pdf