창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUD50N024-09P-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUD50N024-09P | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 22V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 49A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.5m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 39.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUD50N024-09P-E3 | |
| 관련 링크 | SUD50N024, SUD50N024-09P-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | CW02B27R00JE70HE | RES 27 OHM 3.75W 5% AXIAL | CW02B27R00JE70HE.pdf | |
![]() | CMF654M8700FKEK | RES 4.87M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF654M8700FKEK.pdf | |
![]() | K4T1G084QF-BCF7/BCE7 | K4T1G084QF-BCF7/BCE7 SAMSUNG BGA | K4T1G084QF-BCF7/BCE7.pdf | |
![]() | RJK008-W12B-295X1B | RJK008-W12B-295X1B TMEC SMD or Through Hole | RJK008-W12B-295X1B.pdf | |
![]() | UPD17226MC-142 | UPD17226MC-142 NEC SOP | UPD17226MC-142.pdf | |
![]() | RD5T531 | RD5T531 RICOH SMD or Through Hole | RD5T531.pdf | |
![]() | ADC08D1520CIYB | ADC08D1520CIYB NS LQFP-128 | ADC08D1520CIYB.pdf | |
![]() | LM293AYDT | LM293AYDT ST SOP | LM293AYDT.pdf | |
![]() | 8MG3-240.000AJI | 8MG3-240.000AJI IDT SMD or Through Hole | 8MG3-240.000AJI.pdf | |
![]() | RN1J107M12025 | RN1J107M12025 samwha DIP-2 | RN1J107M12025.pdf |