창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD50N02-09P-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUD50N02-09P | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 14m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 16nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 6.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUD50N02-09P-GE3 | |
관련 링크 | SUD50N02-, SUD50N02-09P-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | BC-312.500MCE-T | 312.5MHz LVPECL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 2.5V 99mA Enable/Disable | BC-312.500MCE-T.pdf | |
ARF1500 | MOSFET RF N-CH 500V 60A T1 | ARF1500.pdf | ||
![]() | TNPW080532R8BEEA | RES SMD 32.8 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080532R8BEEA.pdf | |
![]() | CMF60422R00FKRE | RES 422 OHM 1W 1% AXIAL | CMF60422R00FKRE.pdf | |
![]() | 2SC5482-T12-E | 2SC5482-T12-E ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC5482-T12-E.pdf | |
![]() | SDH85N120P | SDH85N120P SW DO-5 | SDH85N120P.pdf | |
![]() | M28F256-25C1-15C1 | M28F256-25C1-15C1 ST PLCC | M28F256-25C1-15C1.pdf | |
![]() | LCN0805T-R39K-S | LCN0805T-R39K-S ORIGINAL SMD or Through Hole | LCN0805T-R39K-S.pdf | |
![]() | I20N60B3 | I20N60B3 HARRIS/FAIRCHILD/intersiI TO-3P | I20N60B3.pdf | |
![]() | M85049/48-1-1F | M85049/48-1-1F ITT con | M85049/48-1-1F.pdf | |
![]() | HN62454BPB | HN62454BPB HD DIP | HN62454BPB.pdf | |
![]() | IT8716F-S (CXS) | IT8716F-S (CXS) ITE QFP | IT8716F-S (CXS).pdf |