창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SUD50N02-06P-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SUD50N02-06P | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 9/Jun/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2550pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 65W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | SUD50N02-06P-E3-ND SUD50N02-06P-E3TR SUD50N0206PE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SUD50N02-06P-E3 | |
| 관련 링크 | SUD50N02-, SUD50N02-06P-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RR1220P-4121-D-M | RES SMD 4.12KOHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-4121-D-M.pdf | |
![]() | RE0603BRE07200RL | RES SMD 200 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RE0603BRE07200RL.pdf | |
![]() | AD8203YRZ-R7 | AD8203YRZ-R7 ANA ORIGINAL | AD8203YRZ-R7.pdf | |
![]() | C2509 | C2509 ORIGINAL 2-10A1B | C2509.pdf | |
![]() | BA4285S | BA4285S ROHM SOP-24 | BA4285S.pdf | |
![]() | TLC3702IDT | TLC3702IDT ST SMD or Through Hole | TLC3702IDT.pdf | |
![]() | 6ME1500WX | 6ME1500WX SANYO DIP | 6ME1500WX.pdf | |
![]() | M5M418160BJ7 | M5M418160BJ7 MITSUBIS SOJ | M5M418160BJ7.pdf | |
![]() | 5124G | 5124G ON SOP8 | 5124G.pdf | |
![]() | TI06 | TI06 ORIGINAL TSSOP | TI06.pdf | |
![]() | 16.4320C | 16.4320C EPSON SOIC-4 | 16.4320C.pdf |