창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD19P06-60-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUD19P06-60 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
카탈로그 페이지 | 1660 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 60m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1710pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 2.3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SUD19P06-60-GE3TR SUD19P0660GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUD19P06-60-GE3 | |
관련 링크 | SUD19P06-, SUD19P06-60-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
T322A104K050AT | 0.1µF Molded Tantalum Capacitors 50V Axial 26 Ohm 0.095" Dia x 0.260" L (2.41mm x 6.60mm) | T322A104K050AT.pdf | ||
MV7442C4R0 | Green 570nm LED Indication - Discrete 2.1V Radial | MV7442C4R0.pdf | ||
H41K33BYA | RES 1.33K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H41K33BYA.pdf | ||
PZT22A | PZT22A ROHM SMA | PZT22A.pdf | ||
HZ302 | HZ302 ST DO-35 | HZ302.pdf | ||
K29542 | K29542 OAK QFN24 | K29542.pdf | ||
LC98S1B-544 | LC98S1B-544 SANYO QFP | LC98S1B-544.pdf | ||
WBM155R71C104KA01D | WBM155R71C104KA01D MURATA SMD or Through Hole | WBM155R71C104KA01D.pdf | ||
WDSSNR2-2K7V1 | WDSSNR2-2K7V1 SAMSUNG BGA | WDSSNR2-2K7V1.pdf | ||
MIC2204BMLTR | MIC2204BMLTR MICREL MLF10 | MIC2204BMLTR.pdf | ||
DS15BA101SDX/NOPB | DS15BA101SDX/NOPB NS SMD or Through Hole | DS15BA101SDX/NOPB.pdf | ||
MPS-H81 | MPS-H81 PANASONIC BGA | MPS-H81.pdf |