창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD09P10-195-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUD09P10-195 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 195m옴 @ 3.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1055pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SUD09P10-195-GE3TR SUD09P10195GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUD09P10-195-GE3 | |
관련 링크 | SUD09P10-, SUD09P10-195-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | L7905BT | L7905BT ON SMD or Through Hole | L7905BT.pdf | |
![]() | FR106 RS1J | FR106 RS1J TOSHIBA DO214AC | FR106 RS1J.pdf | |
![]() | 28189 | 28189 PROXXON SMD or Through Hole | 28189.pdf | |
![]() | HYS72D64300HBR-5 | HYS72D64300HBR-5 Infineon SMD or Through Hole | HYS72D64300HBR-5.pdf | |
![]() | 1N4370A-1 | 1N4370A-1 MICROSEMI SMD | 1N4370A-1.pdf | |
![]() | A0505D-2W | A0505D-2W MORNSUN SMD or Through Hole | A0505D-2W.pdf | |
![]() | DBF40C | DBF40C ORIGINAL SMD or Through Hole | DBF40C.pdf | |
![]() | 117433 | 117433 LINEAR SMD or Through Hole | 117433.pdf | |
![]() | PSR-23198 | PSR-23198 RAYCHEM SMD or Through Hole | PSR-23198.pdf | |
![]() | 216Q7CDBGA12 | 216Q7CDBGA12 ATI BGA | 216Q7CDBGA12.pdf | |
![]() | LA6324N-TP-T1 | LA6324N-TP-T1 SANYO SOP14 | LA6324N-TP-T1.pdf |