창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD09P10-195-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SUD09P10-195 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 195m옴 @ 3.6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1055pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 2.5W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SUD09P10-195-GE3TR SUD09P10195GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUD09P10-195-GE3 | |
관련 링크 | SUD09P10-, SUD09P10-195-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
CR0402-FX-51R0GLF | RES SMD 51 OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-51R0GLF.pdf | ||
AD670JPZ-REEL7 | AD670JPZ-REEL7 AD PLCC20 | AD670JPZ-REEL7.pdf | ||
LA276W/H-1-PF | LA276W/H-1-PF LIGITEK ROHS | LA276W/H-1-PF.pdf | ||
C2601 | C2601 ORIGINAL SMD or Through Hole | C2601.pdf | ||
T1503N | T1503N ORIGINAL SMD or Through Hole | T1503N.pdf | ||
GJ4481 | GJ4481 Texas SOP-8 | GJ4481.pdf | ||
PIC12C672-04I/MF | PIC12C672-04I/MF MICROCHIP 8 DFN-S 6x5x0.9mm TU | PIC12C672-04I/MF.pdf | ||
ADG936BRUZ-REEL | ADG936BRUZ-REEL ADI Call | ADG936BRUZ-REEL.pdf | ||
SP5055GS/KG/MPAD | SP5055GS/KG/MPAD ZARLINK SOP16 | SP5055GS/KG/MPAD.pdf | ||
CPR5825 | CPR5825 BB SMD or Through Hole | CPR5825.pdf | ||
SG-8002JC50.0000M-PCCL0:ROHS | SG-8002JC50.0000M-PCCL0:ROHS EPSONSINGAPOREPT SMD or Through Hole | SG-8002JC50.0000M-PCCL0:ROHS.pdf | ||
PIC16C621A-01I/P | PIC16C621A-01I/P MICROCHIP DIP18 | PIC16C621A-01I/P.pdf |