창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SUD06N10-225L-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | TO-252AA Drawing SUD06N10-225L-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 240pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252AA | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SUD06N10-225L-GE3-ND SUD06N10-225L-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SUD06N10-225L-GE3 | |
관련 링크 | SUD06N10-2, SUD06N10-225L-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | C0402C330G5GACTU | 33pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402C330G5GACTU.pdf | |
![]() | CRCW12103M16FKEA | RES SMD 3.16M OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW12103M16FKEA.pdf | |
![]() | P51-200-A-B-D-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Absolute Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-A-B-D-5V-000-000.pdf | |
![]() | CX11256-11P2 | CX11256-11P2 CONEXANT BGA | CX11256-11P2.pdf | |
![]() | T11-TSOP54 | T11-TSOP54 PRACTICAL TSOP | T11-TSOP54.pdf | |
![]() | UPC451GR | UPC451GR NEC TSSOP14 | UPC451GR.pdf | |
![]() | MAZM120H | MAZM120H PANASONIC SMD | MAZM120H.pdf | |
![]() | MCR004YZPF4300 | MCR004YZPF4300 ROHM SMD | MCR004YZPF4300.pdf | |
![]() | HB-1S1608 | HB-1S1608 TW SMD | HB-1S1608.pdf | |
![]() | 12SMBU-NR | 12SMBU-NR ORIGINAL DIP4 | 12SMBU-NR.pdf |