창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STY60NM50 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STY60NM50 | |
기타 관련 문서 | STY60NM50 View All Specifications | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 50m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 266nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 560W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | MAX247™ | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-2775-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STY60NM50 | |
관련 링크 | STY60, STY60NM50 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
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![]() | BI688-A-1003B | BI688-A-1003B BI SOP-16 | BI688-A-1003B.pdf | |
![]() | MAADSS0008TR3000 | MAADSS0008TR3000 MAC SMD or Through Hole | MAADSS0008TR3000.pdf | |
![]() | MPSH10RG | MPSH10RG FSC TO-92 | MPSH10RG.pdf | |
![]() | 65-1803-1M | 65-1803-1M GCELECTRONICS SMD or Through Hole | 65-1803-1M.pdf | |
![]() | NJU7004VTE1 | NJU7004VTE1 JRC SMD or Through Hole | NJU7004VTE1.pdf |