창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STWA57N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STW(A)57N65M5 | |
| 기타 관련 문서 | STWA57N65M5 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 42A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 63m옴 @ 21A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-13604-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STWA57N65M5 | |
| 관련 링크 | STWA57, STWA57N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | GRM2195C2A102JA01J | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM2195C2A102JA01J.pdf | |
![]() | VJ0805D150KLAAP | 15pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D150KLAAP.pdf | |
![]() | DSC1121CI2-025.0012T | 25.0012MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121CI2-025.0012T.pdf | |
![]() | HM87C1202A | HM87C1202A HM DIP18 | HM87C1202A.pdf | |
![]() | FCN704J016AU0 | FCN704J016AU0 FUJITSU SMD or Through Hole | FCN704J016AU0.pdf | |
![]() | 3314Z-2-202E | 3314Z-2-202E BOURNS SMD or Through Hole | 3314Z-2-202E.pdf | |
![]() | 708301-A | 708301-A MICROCHIP DIP8 | 708301-A.pdf | |
![]() | 208675 | 208675 STM DIP14 | 208675.pdf | |
![]() | AD24425K | AD24425K ORIGINAL SSOP | AD24425K.pdf | |
![]() | MAX8683ETM | MAX8683ETM MAXIM QFN48 | MAX8683ETM.pdf | |
![]() | NTP75N03L09G | NTP75N03L09G ON TO-220 | NTP75N03L09G.pdf | |
![]() | PAM8609ES | PAM8609ES PAM QFN | PAM8609ES.pdf |