창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW9NK90Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx9NK90Z | |
| 기타 관련 문서 | STW9NK90Z View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.3옴 @ 3.6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2115pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 160W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-2784-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW9NK90Z | |
| 관련 링크 | STW9N, STW9NK90Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | PE1206DRM7W0R033L | RES SMD 0.033 OHM 0.5% 1/2W 1206 | PE1206DRM7W0R033L.pdf | |
![]() | RN73C1E1K07BTG | RES SMD 1.07KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E1K07BTG.pdf | |
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![]() | BD362AG. | BD362AG. ON TO-126 | BD362AG..pdf | |
![]() | 20G45H | 20G45H AP TO-252 | 20G45H.pdf | |
![]() | 7MBP50TEA060-02 | 7MBP50TEA060-02 FUJI SMD or Through Hole | 7MBP50TEA060-02.pdf | |
![]() | AZ219F00 | AZ219F00 ORIGINAL SOP20 | AZ219F00.pdf | |
![]() | WCADC11 | WCADC11 OTAX SMD or Through Hole | WCADC11.pdf | |
![]() | HK1608 33NJ-T | HK1608 33NJ-T TAIYOYUDEN SMD or Through Hole | HK1608 33NJ-T.pdf | |
![]() | D1DF2 | D1DF2 ORIGINAL DIP | D1DF2.pdf | |
![]() | DAC122S085EB | DAC122S085EB NS SMD or Through Hole | DAC122S085EB.pdf |