창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW9N150 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STW9N150 | |
| 기타 관련 문서 | STW9N150 View All Specifications | |
| 주요제품 | 1500V MOSFET Family | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | PowerMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1500V(1.5kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 89.3nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3255pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 320W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-8465-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW9N150 | |
| 관련 링크 | STW9, STW9N150 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | D560J20SL0H6TJ5R | 56pF 100V 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.197" Dia(5.00mm) | D560J20SL0H6TJ5R.pdf | |
![]() | CMF652M5500FKBF | RES 2.55M OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF652M5500FKBF.pdf | |
![]() | V680-D1KP58HT | RFID Tag Read/Write 1kB (User) Memory 13.56MHz Encapsulated | V680-D1KP58HT.pdf | |
![]() | 3DA41D | 3DA41D CHINA TO-6 | 3DA41D.pdf | |
![]() | MT8966ASB | MT8966ASB ORIGINAL SOP3-20 | MT8966ASB.pdf | |
![]() | AN184HD | AN184HD AN SMD or Through Hole | AN184HD.pdf | |
![]() | 5361BS | 5361BS QCG SMD or Through Hole | 5361BS.pdf | |
![]() | 2SC5817 | 2SC5817 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC5817.pdf | |
![]() | MY3N-110VAC | MY3N-110VAC ORIGINAL SMD or Through Hole | MY3N-110VAC.pdf | |
![]() | LM1578H | LM1578H NSC CAN8 | LM1578H.pdf | |
![]() | BF820215 | BF820215 NXP SMD DIP | BF820215.pdf | |
![]() | XC4003 VQ100 | XC4003 VQ100 XILINX QFP | XC4003 VQ100.pdf |