창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW7NK90Z | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx(6,7)NK90Z(FP) | |
기타 관련 문서 | STW7NK90Z View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2옴 @ 2.9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1350pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-7624-5 STW7NK90Z-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW7NK90Z | |
관련 링크 | STW7N, STW7NK90Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 04023U180JAT2A | 18pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04023U180JAT2A.pdf | |
![]() | 06035C391MAT2A | 390pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035C391MAT2A.pdf | |
![]() | FXO-HC730-85 | 85MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC730-85.pdf | |
![]() | AT0603DRD0773R2L | RES SMD 73.2 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRD0773R2L.pdf | |
![]() | AA07-P030VAE-R300 | AA07-P030VAE-R300 JAE SMD or Through Hole | AA07-P030VAE-R300.pdf | |
![]() | MMBT8550LT1G B9D | MMBT8550LT1G B9D SK SOT-23 | MMBT8550LT1G B9D.pdf | |
![]() | VSB-12STB-VD | VSB-12STB-VD ORIGINAL DIP8 | VSB-12STB-VD.pdf | |
![]() | 1812A101JXGAT | 1812A101JXGAT AVX SMD or Through Hole | 1812A101JXGAT.pdf | |
![]() | LMH6702MA | LMH6702MA NS SOP8 | LMH6702MA .pdf | |
![]() | 1-1718333-1 | 1-1718333-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1-1718333-1.pdf | |
![]() | KTC801E-GR-RTK/P | KTC801E-GR-RTK/P KEC SOT-563 | KTC801E-GR-RTK/P.pdf | |
![]() | MH6111E273 | MH6111E273 NXP DIP | MH6111E273.pdf |