창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW70N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STW70N60M2 | |
| 주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 68A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 34A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 118nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 450W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-14226-5 STW70N60M2-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW70N60M2 | |
| 관련 링크 | STW70N, STW70N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 160R-221KS | 220nH Unshielded Inductor 1.07A 110 mOhm Max 2-SMD | 160R-221KS.pdf | |
![]() | CRCW08051R20FKEA | RES SMD 1.2 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW08051R20FKEA.pdf | |
![]() | RCP0603B200RGEC | RES SMD 200 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B200RGEC.pdf | |
![]() | DFCH21G70HDJAA-RD1 | DFCH21G70HDJAA-RD1 MURATA SMD or Through Hole | DFCH21G70HDJAA-RD1.pdf | |
![]() | 5820-27UH | 5820-27UH ORIGINAL SMD or Through Hole | 5820-27UH.pdf | |
![]() | 6303300208-275 | 6303300208-275 KINSUN SMD or Through Hole | 6303300208-275.pdf | |
![]() | MN15342VEI | MN15342VEI ORIGINAL SMD or Through Hole | MN15342VEI.pdf | |
![]() | 39-01-4037 | 39-01-4037 molex SMD or Through Hole | 39-01-4037.pdf | |
![]() | UE9.8//F9.8 | UE9.8//F9.8 N/A 40276.5mmU | UE9.8//F9.8.pdf | |
![]() | 1SR82R-1000 | 1SR82R-1000 Origin SMD or Through Hole | 1SR82R-1000.pdf | |
![]() | WX171SF320 | WX171SF320 WESTCODE SMD or Through Hole | WX171SF320.pdf | |
![]() | 13FXV-RSM1-GAN-ETF | 13FXV-RSM1-GAN-ETF JST SMD | 13FXV-RSM1-GAN-ETF.pdf |