창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW70N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STW70N60M2 | |
| 주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 68A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 40m옴 @ 34A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 118nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5200pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 450W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-14226-5 STW70N60M2-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW70N60M2 | |
| 관련 링크 | STW70N, STW70N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D1R9DXXAP | 1.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R9DXXAP.pdf | |
![]() | RTS0072 | RTS0072 RTS DIP | RTS0072.pdf | |
![]() | STM8S103K3 | STM8S103K3 ST QFN32 | STM8S103K3.pdf | |
![]() | DG527CK | DG527CK SIL CDIP | DG527CK.pdf | |
![]() | U2320B-AFLG3 | U2320B-AFLG3 ORIGINAL SOP | U2320B-AFLG3.pdf | |
![]() | UA555HM | UA555HM FSC CAN | UA555HM.pdf | |
![]() | MCP3008 | MCP3008 MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP3008.pdf | |
![]() | 1007-24--B | 1007-24--B ORIGINAL SMD or Through Hole | 1007-24--B.pdf | |
![]() | TMS370C712AFNTG4 | TMS370C712AFNTG4 ORIGINAL SMD or Through Hole | TMS370C712AFNTG4.pdf | |
![]() | M34E02-FDW | M34E02-FDW ST TSSOP | M34E02-FDW.pdf | |
![]() | PTN08080WAH | PTN08080WAH TI SMD or Through Hole | PTN08080WAH.pdf | |
![]() | MV82110C0-BBK-C000 | MV82110C0-BBK-C000 MARVELL SMD or Through Hole | MV82110C0-BBK-C000.pdf |