창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW69N65M5-4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STW69N65M5-4 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 58A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 45m옴 @ 29A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 143nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6420pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 330W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-4 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-4L | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-14039-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW69N65M5-4 | |
| 관련 링크 | STW69N6, STW69N65M5-4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | TS200F11CDT | 20MHz ±10ppm 수정 18pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS200F11CDT.pdf | |
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![]() | MBRA210LT3 | MBRA210LT3 ON DO-214AC | MBRA210LT3.pdf | |
![]() | N640CH20GOO | N640CH20GOO WESTCODE Module | N640CH20GOO.pdf | |
![]() | XEC1008CW102JGT | XEC1008CW102JGT XEC SMD or Through Hole | XEC1008CW102JGT.pdf | |
![]() | ROP1016174CR1A | ROP1016174CR1A PHILIPS BGA | ROP1016174CR1A.pdf | |
![]() | LMV931IDCKT | LMV931IDCKT TI SC70-5 | LMV931IDCKT.pdf | |
![]() | TMP87CM43N-4865 | TMP87CM43N-4865 TOSHIBA DIP42 | TMP87CM43N-4865.pdf |