창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW60NM50N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STW60NM50N | |
기타 관련 문서 | STW60NM50N View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 68A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 43m옴 @ 34A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 178nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5790pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 446W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-13287-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW60NM50N | |
관련 링크 | STW60N, STW60NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | RC2012J2R4CS | RES SMD 2.4 OHM 5% 1/8W 0805 | RC2012J2R4CS.pdf | |
![]() | CL321611T-1R0K-N | CL321611T-1R0K-N CHILISIN SMD or Through Hole | CL321611T-1R0K-N.pdf | |
![]() | GYH-2002-110W | GYH-2002-110W GYH SMD or Through Hole | GYH-2002-110W.pdf | |
![]() | 37542F8 | 37542F8 SONY QFP | 37542F8.pdf | |
![]() | TP96N00NA503 | TP96N00NA503 TOCOS SMD or Through Hole | TP96N00NA503.pdf | |
![]() | 22554-0AA | 22554-0AA ORIGINAL SMD or Through Hole | 22554-0AA.pdf | |
![]() | FX2N-128MT-001 | FX2N-128MT-001 ORIGINAL SMD or Through Hole | FX2N-128MT-001.pdf | |
![]() | LDECA1150JA0N00 | LDECA1150JA0N00 ARCOTRONICS SMD | LDECA1150JA0N00.pdf | |
![]() | SOICW20LD | SOICW20LD CARSEM SOP-20 | SOICW20LD.pdf | |
![]() | LMC6061-IN | LMC6061-IN NS DIP | LMC6061-IN.pdf | |
![]() | 215RQA6AVA11FG RS690 | 215RQA6AVA11FG RS690 ATI BGA | 215RQA6AVA11FG RS690.pdf | |
![]() | R5F21113FP#U0 | R5F21113FP#U0 Renesas SMD or Through Hole | R5F21113FP#U0.pdf |