창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW60N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(F)W60N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 23A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 139nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6810pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 255W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-11368-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW60N65M5 | |
| 관련 링크 | STW60N, STW60N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | BST82,235 | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 | BST82,235.pdf | |
![]() | MHQ1005P30NHT000 | 30nH Unshielded Multilayer Inductor 220mA 1.3 Ohm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P30NHT000.pdf | |
![]() | 1330-66K | 82µH Unshielded Inductor 88mA 7.3 Ohm Max Nonstandard | 1330-66K.pdf | |
![]() | RNCF1206BKC6K34 | RES SMD 6.34K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BKC6K34.pdf | |
![]() | RT2512BKE0723R2L | RES SMD 23.2 OHM 0.1% 3/4W 2512 | RT2512BKE0723R2L.pdf | |
![]() | HAL207JQ-K | IC HALL EFFECT SWITCH UNIPO TO92 | HAL207JQ-K.pdf | |
![]() | 0805/1.8K | 0805/1.8K ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805/1.8K.pdf | |
![]() | 2N60L-A/TO-251 | 2N60L-A/TO-251 UTC SMD or Through Hole | 2N60L-A/TO-251.pdf | |
![]() | LTC660MHS8-2.5 | LTC660MHS8-2.5 LT SMD or Through Hole | LTC660MHS8-2.5.pdf | |
![]() | BT457KPJ | BT457KPJ Bt PLCC | BT457KPJ.pdf | |
![]() | SMCJLCE12A-E3 | SMCJLCE12A-E3 Microsemi DO-214AB | SMCJLCE12A-E3.pdf | |
![]() | MAX8521ETP+-MAXIM | MAX8521ETP+-MAXIM ORIGINAL SMD or Through Hole | MAX8521ETP+-MAXIM.pdf |