창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW60N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(F)W60N65M5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 23A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 139nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6810pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 255W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-11368-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW60N65M5 | |
| 관련 링크 | STW60N, STW60N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MC1468705U3S | MC1468705U3S MOT DIP | MC1468705U3S.pdf | |
![]() | 17839-02 | 17839-02 NO DIP-8 | 17839-02.pdf | |
![]() | HAS030YH-A | HAS030YH-A ORIGINAL MODULE | HAS030YH-A.pdf | |
![]() | UM5003-6E | UM5003-6E UMC DIP | UM5003-6E.pdf | |
![]() | M50943-143SP | M50943-143SP MIT DIP64 | M50943-143SP.pdf | |
![]() | 2101U560KAT2A | 2101U560KAT2A AVX SMD | 2101U560KAT2A.pdf | |
![]() | VI-260-CX | VI-260-CX VICOR SMD or Through Hole | VI-260-CX.pdf | |
![]() | ICS556M-04I | ICS556M-04I ICS SOP-3.9-8P | ICS556M-04I.pdf | |
![]() | CF32W5R223K500A | CF32W5R223K500A KYOCERA SMD | CF32W5R223K500A.pdf | |
![]() | RWST30250C1003JB00 | RWST30250C1003JB00 VISHAY SMD or Through Hole | RWST30250C1003JB00.pdf | |
![]() | DAC87DCBI-V/883B | DAC87DCBI-V/883B BB DIP | DAC87DCBI-V/883B.pdf | |
![]() | GRM42-6CH222J50S500 | GRM42-6CH222J50S500 MURATA SMD or Through Hole | GRM42-6CH222J50S500.pdf |