STMicroelectronics STW58N65DM2AG

STW58N65DM2AG
제조업체 부품 번호
STW58N65DM2AG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 650V 48A
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내부 부품 번호EIS-STW58N65DM2AG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서STW58N65DM2AG
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열자동차, AEC-Q101, MDmesh™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C48A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs65m옴 @ 24A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs88nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds4100pF @ 100V
전력 - 최대360W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247
표준 포장 30
다른 이름497-16137-5
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)STW58N65DM2AG
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