창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW35N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx35N65M5 | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 13.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 83nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3750pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 160W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-11000-5 STW35N65M5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW35N65M5 | |
| 관련 링크 | STW35N, STW35N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | ERZ-E11B821CS | VARISTOR 820V 5KA DISC 14MM | ERZ-E11B821CS.pdf | |
![]() | M15733/51-0002 | LC (Pi) EMI Filter 3rd Order Low Pass 1 Channel C = 0.022µF 10A Axial, Eyelet - 1 Turret Lead | M15733/51-0002.pdf | |
![]() | RCS0603845RFKEA | RES SMD 845 OHM 1% 1/4W 0603 | RCS0603845RFKEA.pdf | |
![]() | SFR2500004704JA500 | RES 4.7M OHM 0.4W 5% AXIAL | SFR2500004704JA500.pdf | |
![]() | SSI78P2362IH | SSI78P2362IH siliconsystems SMD or Through Hole | SSI78P2362IH.pdf | |
![]() | LM2903JG | LM2903JG TI CDIP8 | LM2903JG.pdf | |
![]() | 7E66S-100M | 7E66S-100M SAGAMI 7E66S | 7E66S-100M.pdf | |
![]() | 1S2092 | 1S2092 RENESAS DO-35 | 1S2092.pdf | |
![]() | 2010 5% 2.2R | 2010 5% 2.2R SUPEROHM SMD or Through Hole | 2010 5% 2.2R.pdf | |
![]() | SN8P1707Q | SN8P1707Q SONYIX DIE | SN8P1707Q.pdf | |
![]() | MAX496CPE | MAX496CPE MAX DIP | MAX496CPE.pdf | |
![]() | 1-967621-1 | 1-967621-1 TEConnectivity SMD or Through Hole | 1-967621-1.pdf |