창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW35N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx35N65M5 | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 27A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 98m옴 @ 13.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 83nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3750pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-11000-5 STW35N65M5-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW35N65M5 | |
관련 링크 | STW35N, STW35N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
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![]() | B39380-K9352-M100 | B39380-K9352-M100 EPCOS SIP | B39380-K9352-M100.pdf | |
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![]() | 6CC20S | 6CC20S FERRAZ-SHAWMUT SMD or Through Hole | 6CC20S.pdf | |
![]() | SCAN92626OTUF | SCAN92626OTUF NSC BGA | SCAN92626OTUF.pdf | |
![]() | DSE0805C392JN | DSE0805C392JN ORIGINAL SMD or Through Hole | DSE0805C392JN.pdf | |
![]() | FSQ510RT | FSQ510RT FAIRCHILD DIP | FSQ510RT.pdf | |
![]() | SMG6.3VB2200M | SMG6.3VB2200M ORIGINAL SMD or Through Hole | SMG6.3VB2200M.pdf | |
![]() | MLP2520S1R0LT000 | MLP2520S1R0LT000 TDK SMD | MLP2520S1R0LT000.pdf |