창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW32NM50N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx32NM50N | |
기타 관련 문서 | STW32NM50N View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1973pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 190W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-13284-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW32NM50N | |
관련 링크 | STW32N, STW32NM50N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
RN1103MFV,L3F | TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM | RN1103MFV,L3F.pdf | ||
IRMV038/TR1 | IRMV038/TR1 EL DIP | IRMV038/TR1.pdf | ||
144138 | 144138 ST SMD or Through Hole | 144138.pdf | ||
UF3M | UF3M ON SMD or Through Hole | UF3M.pdf | ||
SS15 SMA | SS15 SMA ORIGINAL SMD or Through Hole | SS15 SMA.pdf | ||
PBA150LSTR | PBA150LSTR CLARE DIPSOP8 | PBA150LSTR.pdf | ||
HSP43168JC/M | HSP43168JC/M HARRIS CDIP | HSP43168JC/M.pdf | ||
BD6513F-E2 | BD6513F-E2 ROHM SOP8 | BD6513F-E2.pdf | ||
DE48F512 | DE48F512 ORIGINAL DIP | DE48F512.pdf | ||
1SV321 | 1SV321 ORIGINAL TO-92S | 1SV321.pdf | ||
FFAF20U20DNTU | FFAF20U20DNTU ORIGINAL SMD or Through Hole | FFAF20U20DNTU.pdf | ||
M29W128FL60N6 | M29W128FL60N6 ST TSOP | M29W128FL60N6.pdf |