창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW32N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx32N65M5 | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 119m옴 @ 12A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 72nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3320pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-10999-5 STW32N65M5-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW32N65M5 | |
관련 링크 | STW32N, STW32N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | C2012X5R1H105K085AB | 1µF 50V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X5R1H105K085AB.pdf | |
![]() | 5KP24AHE3/51 | TVS DIODE 24VWM 38.9VC P600 | 5KP24AHE3/51.pdf | |
![]() | ERA-14EB134U | RES SMD 130K OHM 0.1% 1/4W 1210 | ERA-14EB134U.pdf | |
![]() | K4M56163PG-PG75 | K4M56163PG-PG75 samsung SMD or Through Hole | K4M56163PG-PG75.pdf | |
![]() | TMP90CN72DF-7617 | TMP90CN72DF-7617 TOS QFP-100 | TMP90CN72DF-7617.pdf | |
![]() | SW-338-PIN | SW-338-PIN M/A-COM SMD or Through Hole | SW-338-PIN.pdf | |
![]() | S3A89 | S3A89 MOT SSOP | S3A89.pdf | |
![]() | B57621-C224-M62 | B57621-C224-M62 NA SMD | B57621-C224-M62.pdf | |
![]() | LC1330-1000-50M | LC1330-1000-50M RIC SMD or Through Hole | LC1330-1000-50M.pdf | |
![]() | B32921C3103M000 | B32921C3103M000 EPCOS DIP | B32921C3103M000.pdf | |
![]() | A3P1GF3DGF-GDG | A3P1GF3DGF-GDG PSC FBGA-78P | A3P1GF3DGF-GDG.pdf |