창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW31N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx31N65M5 | |
기타 관련 문서 | STW31N65M5 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 148m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 45nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 816pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-13122-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW31N65M5 | |
관련 링크 | STW31N, STW31N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | T496C475K025AS | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2312 (6032 Metric) 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T496C475K025AS.pdf | |
![]() | RT1210DRD072K8L | RES SMD 2.8K OHM 0.5% 1/4W 1210 | RT1210DRD072K8L.pdf | |
![]() | RG1005N-53R6-B-T5 | RES SMD 53.6 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-53R6-B-T5.pdf | |
![]() | AK4311V | AK4311V AKM SSOP24 | AK4311V.pdf | |
![]() | MA4ST083-287T | MA4ST083-287T M/A-COM SMD or Through Hole | MA4ST083-287T.pdf | |
![]() | TMS620C80GGP50 | TMS620C80GGP50 TI BGA | TMS620C80GGP50.pdf | |
![]() | SP3222EEP-L | SP3222EEP-L SIP SMD or Through Hole | SP3222EEP-L.pdf | |
![]() | 016KJ1C/TDC016KJ1C | 016KJ1C/TDC016KJ1C TRW SMD or Through Hole | 016KJ1C/TDC016KJ1C.pdf | |
![]() | BZT03C12(3W12V) | BZT03C12(3W12V) VISHAY SMD or Through Hole | BZT03C12(3W12V).pdf | |
![]() | VJ1206Y123KXCAT | VJ1206Y123KXCAT VISHAY SMD or Through Hole | VJ1206Y123KXCAT.pdf | |
![]() | AM1090B616 | AM1090B616 ANA SOP | AM1090B616.pdf | |
![]() | BINBIN-30W | BINBIN-30W BINBIN SMD or Through Hole | BINBIN-30W.pdf |