창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW30NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx30NM60N | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 130m옴 @ 12.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 91nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-8457-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW30NM60N | |
| 관련 링크 | STW30N, STW30NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 5022R-103F | 10µH Unshielded Inductor 610mA 900 mOhm Max 2-SMD | 5022R-103F.pdf | |
| RH05020R00FE02 | RES CHAS MNT 20 OHM 1% 50W | RH05020R00FE02.pdf | ||
![]() | PC87374L0IBU | PC87374L0IBU Intel PQFP 128P | PC87374L0IBU.pdf | |
![]() | MC14402L | MC14402L MOT CDIP | MC14402L.pdf | |
![]() | HL-5050-UG0812 | HL-5050-UG0812 KOHA 1210 | HL-5050-UG0812.pdf | |
![]() | A540L | A540L GE SMD or Through Hole | A540L.pdf | |
![]() | 2SA1162 | 2SA1162 GSME SMD or Through Hole | 2SA1162.pdf | |
![]() | 680K(6803)±1%0805 | 680K(6803)±1%0805 ORIGINAL SMD or Through Hole | 680K(6803)±1%0805.pdf | |
![]() | JM38510/01403 | JM38510/01403 F DIP | JM38510/01403.pdf | |
![]() | C1206N470J202T 1206-47P 200V | C1206N470J202T 1206-47P 200V HEC SMD or Through Hole | C1206N470J202T 1206-47P 200V.pdf | |
![]() | FF9-27A-R11A | FF9-27A-R11A DDK() SMD or Through Hole | FF9-27A-R11A.pdf |