창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW30N65M5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx30N65M5 | |
기타 관련 문서 | STW30N65M5 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ V | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 139m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2880pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-10655-5 STW30N65M5-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW30N65M5 | |
관련 링크 | STW30N, STW30N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | S470K29SL0P63K5R | 47pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | S470K29SL0P63K5R.pdf | |
![]() | EP1C12F400C8 | EP1C12F400C8 ALTERA SMD or Through Hole | EP1C12F400C8.pdf | |
![]() | IQXO22C-40MHZ | IQXO22C-40MHZ IQD SMD or Through Hole | IQXO22C-40MHZ.pdf | |
![]() | SPDZ80B0300601 | SPDZ80B0300601 LUXCON SMD or Through Hole | SPDZ80B0300601.pdf | |
![]() | SMS44S | SMS44S SUMMIT SO-16 | SMS44S.pdf | |
![]() | MT47H32M16HR-25E-I | MT47H32M16HR-25E-I MT BGA | MT47H32M16HR-25E-I.pdf | |
![]() | RAC32-4D-683JATP | RAC32-4D-683JATP KAMAYA SMD | RAC32-4D-683JATP.pdf | |
![]() | HSMS-282L | HSMS-282L AVAGO SOT363 | HSMS-282L.pdf | |
![]() | FQD5N50TF | FQD5N50TF FAI TO252 | FQD5N50TF.pdf | |
![]() | SEDS-9988#16 | SEDS-9988#16 AGILENT DIP-6 | SEDS-9988#16.pdf | |
![]() | SBY100505T-121Y-N | SBY100505T-121Y-N CHILISIN 0402-121 | SBY100505T-121Y-N.pdf | |
![]() | AM2625325C | AM2625325C ORIGINAL SOP | AM2625325C.pdf |