창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW28N65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx28N65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ M2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1440pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-15575-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW28N65M2 | |
| 관련 링크 | STW28N, STW28N65M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D1R4CXXAJ | 1.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R4CXXAJ.pdf | |
![]() | SSF4N80AS | SSF4N80AS FAIRCHILD SMD or Through Hole | SSF4N80AS.pdf | |
![]() | CXK5971AM35 | CXK5971AM35 SONY SOP28 | CXK5971AM35.pdf | |
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![]() | POB0402M-Series | POB0402M-Series ORIGINAL SMD or Through Hole | POB0402M-Series.pdf | |
![]() | LT238AK | LT238AK LT TO-3 | LT238AK.pdf | |
![]() | LT3493AES8 | LT3493AES8 LT SMD or Through Hole | LT3493AES8.pdf | |
![]() | LM9061CN | LM9061CN NS DIP8 | LM9061CN.pdf | |
![]() | CS0805-27NJ-N | CS0805-27NJ-N ORIGINAL SMD DIP | CS0805-27NJ-N.pdf | |
![]() | GT-48303A-B1-O | GT-48303A-B1-O GALILEO BGA | GT-48303A-B1-O.pdf |