창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW28N60DM2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(B,P,W)28N60DM2 | |
| 비디오 파일 | STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily | |
| 주요제품 | 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ DM2 | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 10.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 170W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-16350-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW28N60DM2 | |
| 관련 링크 | STW28N, STW28N60DM2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | NSBC114YPDXV6T5G | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | NSBC114YPDXV6T5G.pdf | |
![]() | K6T4008C1C-VF70T | K6T4008C1C-VF70T ORIGINAL SMD or Through Hole | K6T4008C1C-VF70T.pdf | |
![]() | L020F | L020F ORIGINAL SOT-163 | L020F.pdf | |
![]() | 6C29400066 | 6C29400066 Q SMD or Through Hole | 6C29400066.pdf | |
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![]() | LC4032 | LC4032 LATTICE QFP | LC4032.pdf | |
![]() | NPC470M8D6ATRF | NPC470M8D6ATRF NIC SMD | NPC470M8D6ATRF.pdf | |
![]() | HE2D108M35035HA180 | HE2D108M35035HA180 SAMWHA SMD or Through Hole | HE2D108M35035HA180.pdf | |
![]() | ELJNDR10J | ELJNDR10J ORIGINAL 0805 SMD | ELJNDR10J.pdf | |
![]() | CSI1023JI-28 | CSI1023JI-28 CATALYST SOIC8 | CSI1023JI-28.pdf | |
![]() | ESXE350ELL821MM15S | ESXE350ELL821MM15S Chemi-con NA | ESXE350ELL821MM15S.pdf | |
![]() | MIC25598M | MIC25598M MICREL SMD | MIC25598M.pdf |