창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW24NM60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STF24NM60N, STP24NM60N | |
기타 관련 문서 | STW24NM60N View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 46nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1400pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 125W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-12705-5 STW24NM60N-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW24NM60N | |
관련 링크 | STW24N, STW24NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 382LX223M080B062VS | 22000µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 5 Lead 3000 Hrs @ 85°C | 382LX223M080B062VS.pdf | |
![]() | ABM3-32.000MHZ-D2Y-T | 32MHz ±20ppm 수정 18pF 25옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | ABM3-32.000MHZ-D2Y-T.pdf | |
![]() | PMEG3020CPASX | DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOT1061 | PMEG3020CPASX.pdf | |
![]() | Y163015K0000T9R | RES SMD 15K OHM 0.01% 1/4W 1206 | Y163015K0000T9R.pdf | |
![]() | 41J35R | RES 35 OHM 1W 5% AXIAL | 41J35R.pdf | |
![]() | CH366-80011 | CH366-80011 NA BGA | CH366-80011.pdf | |
![]() | LM5111-4M | LM5111-4M NS SOP-8 | LM5111-4M.pdf | |
![]() | MAZS150GHL+ | MAZS150GHL+ Panasonic SOD523 | MAZS150GHL+.pdf | |
![]() | S5L9284E01-QORO | S5L9284E01-QORO SAMSUNG QFP | S5L9284E01-QORO.pdf | |
![]() | TEESVD20J227M12R | TEESVD20J227M12R NEC D2 | TEESVD20J227M12R.pdf | |
![]() | RS2G-ND | RS2G-ND JXND DO-214AA(SMB) | RS2G-ND.pdf | |
![]() | 2SB952A-Q | 2SB952A-Q ORIGINAL TO-252 | 2SB952A-Q.pdf |