창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW21N90K5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx21N90K5 | |
기타 관련 문서 | STW21N90K5 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | SuperMESH5™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 9A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1645pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-12873-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW21N90K5 | |
관련 링크 | STW21N, STW21N90K5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 1.5SMC15AHE3/57T | TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC DO214AB | 1.5SMC15AHE3/57T.pdf | |
DRA125-471-R | 470µH Shielded Wirewound Inductor 826mA 790 mOhm Nonstandard | DRA125-471-R.pdf | ||
![]() | M2V64S30BTP/DTP-7/8 | M2V64S30BTP/DTP-7/8 MEMORY SMD | M2V64S30BTP/DTP-7/8.pdf | |
![]() | B9142AD | B9142AD ORIGINAL DIP | B9142AD.pdf | |
![]() | PE-1008CX181KTG | PE-1008CX181KTG PULSE SMD or Through Hole | PE-1008CX181KTG.pdf | |
![]() | 2N3498S | 2N3498S MOT CAN3 | 2N3498S.pdf | |
![]() | MCIMX257CJM4AR2 | MCIMX257CJM4AR2 freescale MAPBGA 400 17 17 0.8 | MCIMX257CJM4AR2.pdf | |
![]() | R2004712 | R2004712 ORIGINAL TO-92 | R2004712.pdf | |
![]() | SRP1050-R56M | SRP1050-R56M ORIGINAL SMD or Through Hole | SRP1050-R56M.pdf | |
![]() | G690L463T76UF | G690L463T76UF GMT SOT23-3 | G690L463T76UF.pdf | |
![]() | 101R15N6R8CV4T(CAP:6.8pF,TOL:25pF) | 101R15N6R8CV4T(CAP:6.8pF,TOL:25pF) JDI SMD or Through Hole | 101R15N6R8CV4T(CAP:6.8pF,TOL:25pF).pdf | |
![]() | G6C-2117P | G6C-2117P ORIGINAL SMD or Through Hole | G6C-2117P.pdf |