창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW21N65M5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx21N65M5 | |
| 제품 교육 모듈 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 190m옴 @ 8.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1950pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-10654-5 STW21N65M5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW21N65M5 | |
| 관련 링크 | STW21N, STW21N65M5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 7M12070027 | 12MHz ±30ppm 수정 18pF -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7M12070027.pdf | |
![]() | SIT8008BI-23-33E-1.843200G | 1.8432MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable | SIT8008BI-23-33E-1.843200G.pdf | |
| 590NB-DDG | 525MHz ~ 810MHz LVDS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 100mA Enable/Disable | 590NB-DDG.pdf | ||
![]() | ERJ-6RQJ1R2V | RES SMD 1.2 OHM 5% 1/8W 0805 | ERJ-6RQJ1R2V.pdf | |
![]() | 4114R-2-623LF | RES ARRAY 13 RES 62K OHM 14DIP | 4114R-2-623LF.pdf | |
![]() | SM926 | SM926 SIEMENS DIP-40 | SM926.pdf | |
![]() | MAX7543CPE | MAX7543CPE ORIGINAL DIP | MAX7543CPE.pdf | |
![]() | DD134-220 | DD134-220 ORIGINAL SMD or Through Hole | DD134-220.pdf | |
![]() | 1MBI1400NN-120 | 1MBI1400NN-120 FUJI SMD or Through Hole | 1MBI1400NN-120.pdf | |
![]() | LE30ABD | LE30ABD ST SOP8 | LE30ABD.pdf | |
![]() | ATTINY5-MAHR | ATTINY5-MAHR Atmel 8-UFDFN | ATTINY5-MAHR.pdf |