창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW20NM60FD | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx20NM60D | |
기타 관련 문서 | STW20NM60FD View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | FDmesh™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-5415-5 STW20NM60FD-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW20NM60FD | |
관련 링크 | STW20N, STW20NM60FD 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | D122R | D122R Micropower SIP | D122R.pdf | |
![]() | 0805Y475Z100BD | 0805Y475Z100BD TEMAYOUNG SMD or Through Hole | 0805Y475Z100BD.pdf | |
![]() | YC158TJR-0710K | YC158TJR-0710K YAGEO 5000 | YC158TJR-0710K.pdf | |
![]() | RLZ-TE-11 10C | RLZ-TE-11 10C ROHM SMD or Through Hole | RLZ-TE-11 10C.pdf | |
![]() | TA8050R | TA8050R TOSHIBA SMD or Through Hole | TA8050R.pdf | |
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![]() | 9081C-05-02 | 9081C-05-02 COTO SMD or Through Hole | 9081C-05-02.pdf | |
![]() | HO-15B 3.6864MHZ | HO-15B 3.6864MHZ HOSONIC SMD or Through Hole | HO-15B 3.6864MHZ.pdf | |
![]() | PW114 | PW114 PREWELL SOT89 | PW114.pdf | |
![]() | 2-641296-4 | 2-641296-4 AMP SMD or Through Hole | 2-641296-4.pdf | |
![]() | CND2B10TE103 J | CND2B10TE103 J KOA SMD or Through Hole | CND2B10TE103 J.pdf |