창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW20NM60FD | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx20NM60D | |
| 기타 관련 문서 | STW20NM60FD View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | FDmesh™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 214W | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-5415-5 STW20NM60FD-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW20NM60FD | |
| 관련 링크 | STW20N, STW20NM60FD 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 79696043 | CONTROL LIQ LVL PROBE | 79696043.pdf | |
![]() | MS46LR-20-955-Q1-30X-30R-NC-FN | SYSTEM | MS46LR-20-955-Q1-30X-30R-NC-FN.pdf | |
![]() | AD7610BSTZG4-REEL7 | AD7610BSTZG4-REEL7 AD Original | AD7610BSTZG4-REEL7.pdf | |
![]() | HYB15T1G800C2F-2.5 | HYB15T1G800C2F-2.5 INFINEON TFBGA-60 | HYB15T1G800C2F-2.5.pdf | |
![]() | MP6VS82MC6 | MP6VS82MC6 MATSUKI 6.3X5.9 | MP6VS82MC6.pdf | |
![]() | 1546310-2 | 1546310-2 TYCO/WSI SMD or Through Hole | 1546310-2.pdf | |
![]() | LH75401N0M100 | LH75401N0M100 SHARP QFP | LH75401N0M100.pdf | |
![]() | K1940 | K1940 FUJI TO-3P | K1940.pdf | |
![]() | HT-T3A8TW-5610 | HT-T3A8TW-5610 HARVATEK SMD or Through Hole | HT-T3A8TW-5610.pdf | |
![]() | CB21S20-50 | CB21S20-50 TDK SMD or Through Hole | CB21S20-50.pdf | |
![]() | 3-175474-6 | 3-175474-6 TYCO SMD or Through Hole | 3-175474-6.pdf | |
![]() | RDA5203 | RDA5203 ORIGINAL QFN | RDA5203.pdf |