창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW20NM60 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx20NM60(-1,FP) | |
기타 관련 문서 | STW20NM60 View All Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 290m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 192W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-3263-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW20NM60 | |
관련 링크 | STW20, STW20NM60 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
416F25013CTR | 25MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25013CTR.pdf | ||
PRG3216P-12R4-D-T5 | RES SMD 12.4 OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-12R4-D-T5.pdf | ||
RT0805WRD0715K8L | RES SMD 15.8KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD0715K8L.pdf | ||
ICC09-320-396C | ICC09-320-396C KEL SMD or Through Hole | ICC09-320-396C.pdf | ||
LL24V/C | LL24V/C ROHM SMD or Through Hole | LL24V/C.pdf | ||
DS390 | DS390 TI TSSOP | DS390.pdf | ||
CR254-01T2R43 | CR254-01T2R43 VITROHM SMD or Through Hole | CR254-01T2R43.pdf | ||
DO932 | DO932 ORIGINAL DIP20 | DO932.pdf | ||
125V7A | 125V7A BUSS、BEL SMD or Through Hole | 125V7A.pdf | ||
WRB1512P-3W | WRB1512P-3W MORNSUN SIPDIP | WRB1512P-3W.pdf | ||
L7376PD | L7376PD ST SOP | L7376PD.pdf | ||
S221K39SL0N63J5R | S221K39SL0N63J5R VISHAY DIP | S221K39SL0N63J5R.pdf |