창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW19NM60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STW19NM60N | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 285m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-13792-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW19NM60N | |
관련 링크 | STW19N, STW19NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | B43540A2228M82 | 2200µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 40 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43540A2228M82.pdf | |
![]() | SCR105B-180 | 18µH Shielded Inductor 3.24A 80 mOhm Max Nonstandard | SCR105B-180.pdf | |
![]() | MOX-G-025004FE | RES CHAS MNT 5M OHM 1% 40W | MOX-G-025004FE.pdf | |
![]() | PACUSB-D2YB5 | PACUSB-D2YB5 CMD SC70-5 | PACUSB-D2YB5.pdf | |
![]() | PM6650-1M/2M | PM6650-1M/2M QUALCOMM SMD or Through Hole | PM6650-1M/2M.pdf | |
![]() | CX23418-227P | CX23418-227P CONEXANT BGA | CX23418-227P.pdf | |
![]() | LAG-180V681MS3 | LAG-180V681MS3 ELNA DIP | LAG-180V681MS3.pdf | |
![]() | NJM2830U1-05 | NJM2830U1-05 JRC SOT-89 | NJM2830U1-05.pdf | |
![]() | HD6437041P44F | HD6437041P44F RENESAS QFP | HD6437041P44F.pdf | |
![]() | AS10H504C16/883C | AS10H504C16/883C ASI CDIP | AS10H504C16/883C.pdf | |
![]() | JT-TT017 | JT-TT017 JiaTong SMD or Through Hole | JT-TT017.pdf |