창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW18NM60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx18NM60N | |
기타 관련 문서 | STW18NM60N View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 285m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-10997-5 STW18NM60N-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW18NM60N | |
관련 링크 | STW18N, STW18NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
MA105C682JAA | 6800pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.090" Dia x 0.160" L(2.29mm x 4.07mm) | MA105C682JAA.pdf | ||
AQ147M9R1MAJME | 9.1pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M9R1MAJME.pdf | ||
2727-17H | 220µH Unshielded Toroidal Inductor 96mA 20 Ohm Max Radial | 2727-17H.pdf | ||
CRCW080547K0DHEAP | RES SMD 47K OHM 0.5% 1/8W 0805 | CRCW080547K0DHEAP.pdf | ||
CMF55133K00DHRE | RES 133K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF55133K00DHRE.pdf | ||
P51-1000-A-AF-M12-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Male - 9/16" (14.29mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-A-AF-M12-4.5V-000-000.pdf | ||
SGH-P900(ANTENNA) | SGH-P900(ANTENNA) PARTRON ANTENNA-CHIP(MODEL | SGH-P900(ANTENNA).pdf | ||
LMBR660 | LMBR660 ORIGINAL SMD or Through Hole | LMBR660.pdf | ||
BB639CE6542 | BB639CE6542 Infineon SOD-323 | BB639CE6542.pdf | ||
HD6435398 | HD6435398 JOHANSON SOT-23 | HD6435398.pdf | ||
K4S280432D-TC1L | K4S280432D-TC1L SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S280432D-TC1L.pdf |