창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STW18NM60N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx18NM60N | |
기타 관련 문서 | STW18NM60N View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 285m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
표준 포장 | 30 | |
다른 이름 | 497-10997-5 STW18NM60N-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STW18NM60N | |
관련 링크 | STW18N, STW18NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | 0995040.Z | FUSE AUTO 40A 58VDC AUTO LINK | 0995040.Z.pdf | |
![]() | 416F38025IAT | 38MHz ±20ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38025IAT.pdf | |
![]() | C300KR10E | RES CHAS MNT 0.1 OHM 10% 300W | C300KR10E.pdf | |
![]() | TNPW060316R2BETA | RES SMD 16.2 OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060316R2BETA.pdf | |
![]() | TR3B105M050C2000(105X0050B2TE3) | TR3B105M050C2000(105X0050B2TE3) VISHAY SMD or Through Hole | TR3B105M050C2000(105X0050B2TE3).pdf | |
![]() | DS1232AATA-75 | DS1232AATA-75 ELPIDA TSOP | DS1232AATA-75.pdf | |
![]() | 24-5602-044-051-829-H+ | 24-5602-044-051-829-H+ KYOCERA SMD or Through Hole | 24-5602-044-051-829-H+.pdf | |
![]() | NACCR22M50V4X6.1TR13F | NACCR22M50V4X6.1TR13F NICC SMT | NACCR22M50V4X6.1TR13F.pdf | |
![]() | VRS-CZ1JF101D | VRS-CZ1JF101D HOKURIKU 0402-100R0.5 | VRS-CZ1JF101D.pdf | |
![]() | USD850 | USD850 ORIGINAL SMD or Through Hole | USD850.pdf | |
![]() | BU12102-06 | BU12102-06 ORIGINAL SSOP | BU12102-06.pdf |