창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW15NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx15NM60N | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 299m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 37nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-7618-5 STW15NM60N-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW15NM60N | |
| 관련 링크 | STW15N, STW15NM60N 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | MR051A121JAATR1 | 120pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.190" L x 0.090" W(4.83mm x 2.28mm) | MR051A121JAATR1.pdf | |
![]() | CRCW25120000Z0EG | RES SMD 0.0 OHM JUMPER 1W 2512 | CRCW25120000Z0EG.pdf | |
![]() | A1213LLHLX-T | IC HALL EFFECT LATCH SOT23W | A1213LLHLX-T.pdf | |
![]() | 0603-360R | 0603-360R ASJ SMD or Through Hole | 0603-360R.pdf | |
![]() | DF9A-51P-1V | DF9A-51P-1V HRS() SMD or Through Hole | DF9A-51P-1V.pdf | |
![]() | D75216AGF 676 | D75216AGF 676 NEC QFP | D75216AGF 676.pdf | |
![]() | BZX55C12 | BZX55C12 ST DO-35 | BZX55C12.pdf | |
![]() | NDS8330 | NDS8330 NS SOP-8 | NDS8330.pdf | |
![]() | TN87C251SB16 | TN87C251SB16 INTEL SMD or Through Hole | TN87C251SB16.pdf | |
![]() | R19-20IBGNBT2-G | R19-20IBGNBT2-G Switronic SMD or Through Hole | R19-20IBGNBT2-G.pdf | |
![]() | SNRB | SNRB ORIGINAL MSOP8 | SNRB.pdf | |
![]() | LU32X31FT2-J80 | LU32X31FT2-J80 LUCENT QFP | LU32X31FT2-J80.pdf |