창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW13N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | ST(P,U,W)13N60M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 580pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-15012-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW13N60M2 | |
| 관련 링크 | STW13N, STW13N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D1R7DLXAP | 1.7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R7DLXAP.pdf | |
![]() | 402F20412IAR | 20.48MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20412IAR.pdf | |
![]() | RT0201FRE074K22L | RES SMD 4.22K OHM 1% 1/20W 0201 | RT0201FRE074K22L.pdf | |
![]() | MSM51V18160F-60T3-K7 | MSM51V18160F-60T3-K7 ROHM SMD or Through Hole | MSM51V18160F-60T3-K7.pdf | |
![]() | SST12LP07A-QXBE. | SST12LP07A-QXBE. SST QFN | SST12LP07A-QXBE..pdf | |
![]() | 299D474X9050AB | 299D474X9050AB VISHAY SMD | 299D474X9050AB.pdf | |
![]() | K181J15C0GF5L2 | K181J15C0GF5L2 VISHAY DIP | K181J15C0GF5L2.pdf | |
![]() | DTZTT1122A | DTZTT1122A ROHM SOD323 | DTZTT1122A.pdf | |
![]() | LDC181G6310B-323 | LDC181G6310B-323 MURATA SMD or Through Hole | LDC181G6310B-323.pdf | |
![]() | VT6T12 | VT6T12 ROHM VMT6 | VT6T12.pdf | |
![]() | LM5109BMA/NOP | LM5109BMA/NOP NSC Call | LM5109BMA/NOP.pdf |