창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STW12NK80Z | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx12NK80Z | |
| 기타 관련 문서 | STW12NK80Z View All Specifications | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 5.25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 87nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2620pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 190W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247-3 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 497-3256-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STW12NK80Z | |
| 관련 링크 | STW12N, STW12NK80Z 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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![]() | MKP1841347136 | 0.047µF Film Capacitor 650V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.433" W (31.00mm x 11.00mm) | MKP1841347136.pdf | |
![]() | 3364W-1-104E | 100k Ohm 0.2W, 1/5W J Lead Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3364W-1-104E.pdf | |
![]() | CC0805 472K 50VS | CC0805 472K 50VS ORIGINAL SMD or Through Hole | CC0805 472K 50VS.pdf | |
![]() | NJM7810DL 1A | NJM7810DL 1A JRC TO252 | NJM7810DL 1A.pdf | |
![]() | PIC18F2585-I/SP | PIC18F2585-I/SP MICROCHIP DIP28 | PIC18F2585-I/SP.pdf | |
![]() | SMBJ-LC11 | SMBJ-LC11 EIC SMB DO-214AA | SMBJ-LC11.pdf | |
![]() | H2N5550 | H2N5550 HSMC SMD or Through Hole | H2N5550.pdf | |
![]() | LP3999ITLX-2.4/NOPB | LP3999ITLX-2.4/NOPB NS SO | LP3999ITLX-2.4/NOPB.pdf | |
![]() | BCD69DK | BCD69DK ORIGINAL SMD or Through Hole | BCD69DK.pdf | |
![]() | ERJ1TRQJR56U | ERJ1TRQJR56U PANASONIC SMD or Through Hole | ERJ1TRQJR56U.pdf |