창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STV300NH02L | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STV300NH02L | |
기타 관련 문서 | STV300NH02L View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
주요제품 | MOSFETs in PowerSO-10 Package | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ III | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 24V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1m옴 @ 80A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 109nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7055pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerSO-10 노출된 하단 패드 | |
공급 장치 패키지 | 10-PowerSO | |
표준 포장 | 600 | |
다른 이름 | 497-7614-2 STV300NH02L-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STV300NH02L | |
관련 링크 | STV300, STV300NH02L 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
P1812-152G | 1.5µH Unshielded Inductor 950mA 222 mOhm Max Nonstandard | P1812-152G.pdf | ||
RC14JT910K | RES 910K OHM 1/4W 5% AXIAL | RC14JT910K.pdf | ||
JS28F256J3D-95 | JS28F256J3D-95 Numonyx TSOP56 | JS28F256J3D-95.pdf | ||
LE28FW4101T-70T | LE28FW4101T-70T ORIGINAL SMD or Through Hole | LE28FW4101T-70T.pdf | ||
PTZGTE2513B | PTZGTE2513B ORIGINAL SMD or Through Hole | PTZGTE2513B.pdf | ||
CA42 0.47UF 50V K | CA42 0.47UF 50V K ZTJ SMD or Through Hole | CA42 0.47UF 50V K.pdf | ||
XRA6459 | XRA6459 ORIGINAL DIP | XRA6459.pdf | ||
LT2932F | LT2932F LT TSSOP16 | LT2932F.pdf | ||
44-A3F | 44-A3F ELPIDA SMD or Through Hole | 44-A3F.pdf | ||
HC1207A | HC1207A APT TO-254 | HC1207A.pdf | ||
BR908F-E2 | BR908F-E2 ORIGINAL SOP | BR908F-E2.pdf | ||
49MC225B020MOASFT | 49MC225B020MOASFT PHILIPS B | 49MC225B020MOASFT.pdf |