창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STV270N4F3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STV270N4F3 | |
| 기타 관련 문서 | STV270N4F3 View All Specifications | |
| 제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
| 주요제품 | MOSFETs in PowerSO-10 Package | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ III | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 270A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10 노출된 하단 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 10-PowerSO | |
| 표준 포장 | 600 | |
| 다른 이름 | 497-7031-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STV270N4F3 | |
| 관련 링크 | STV270, STV270N4F3 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | IS42S16800E-75ETLI | IS42S16800E-75ETLI ISSI TSOP | IS42S16800E-75ETLI.pdf | |
![]() | M29W640GB70ZA6E-N | M29W640GB70ZA6E-N MICRON SMD or Through Hole | M29W640GB70ZA6E-N.pdf | |
![]() | 431D | 431D ORIGINAL SOP8 | 431D.pdf | |
![]() | OP07GJ/883 | OP07GJ/883 PMI CAN8 | OP07GJ/883.pdf | |
![]() | AM-30-21 | AM-30-21 SANYO SMD | AM-30-21.pdf | |
![]() | QL8X12A-1PL68C | QL8X12A-1PL68C ORIGINAL PLCC-68 | QL8X12A-1PL68C.pdf | |
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![]() | 2SK193-T/JM | 2SK193-T/JM NEC SMD or Through Hole | 2SK193-T/JM.pdf | |
![]() | 160ME68PX | 160ME68PX SANYO DIP | 160ME68PX.pdf | |
![]() | XPC106 | XPC106 ORIGINAL SMD or Through Hole | XPC106.pdf | |
![]() | EPM7128LC84-20/-4 | EPM7128LC84-20/-4 ALTERA PLCC84 | EPM7128LC84-20/-4.pdf | |
![]() | IB0509LT-1W | IB0509LT-1W MORNSUN SMD | IB0509LT-1W.pdf |