창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STV160NF03LT4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STV160NF03L | |
| 카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 80A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 210W | |
| 작동 온도 | 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerSO-10 노출된 하단 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 10-PowerSO | |
| 표준 포장 | 600 | |
| 다른 이름 | 497-3252-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STV160NF03LT4 | |
| 관련 링크 | STV160N, STV160NF03LT4 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
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| SI7720DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8 | SI7720DN-T1-GE3.pdf | ||
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![]() | GF2G-TR30 | GF2G-TR30 TAITRON SMD or Through Hole | GF2G-TR30.pdf | |
![]() | 24-5846-080-000-829+ | 24-5846-080-000-829+ KYOCERA SMD | 24-5846-080-000-829+.pdf | |
![]() | 10A122IG | 10A122IG DALE ZIP | 10A122IG.pdf | |
![]() | FX-104-DFC-S5864G | FX-104-DFC-S5864G ORIGINAL SMD or Through Hole | FX-104-DFC-S5864G.pdf | |
![]() | KST64MTF | KST64MTF FAIRCHILD SOT-23 | KST64MTF.pdf | |
![]() | MB88385APF | MB88385APF FUJITSU SOP-16 | MB88385APF.pdf | |
![]() | LTW-M670ZVS-OCS | LTW-M670ZVS-OCS ORIGINAL SMD or Through Hole | LTW-M670ZVS-OCS.pdf |