창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-STU95N2LH5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | STx95N2LH5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ V | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4,9m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.4nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1817pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 70W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | I-Pak | |
| 표준 포장 | 75 | |
| 다른 이름 | 497-12703-5 STU95N2LH5-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | STU95N2LH5 | |
| 관련 링크 | STU95N, STU95N2LH5 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | CGA3E2C0G1H682J080AD | 6800pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2C0G1H682J080AD.pdf | |
![]() | 06036A151GAT2A | 150pF 6.3V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06036A151GAT2A.pdf | |
![]() | EPC2022 | TRANS GAN 100V 3MOHM BUMPED DIE | EPC2022.pdf | |
![]() | AD6486JST | AD6486JST AD QFP | AD6486JST.pdf | |
![]() | TC55V328AP-15JAPN | TC55V328AP-15JAPN MOT DIP | TC55V328AP-15JAPN.pdf | |
![]() | GCIXP1200FG | GCIXP1200FG INTEL BGA | GCIXP1200FG.pdf | |
![]() | WS2512-TR1G | WS2512-TR1G AVAGO SMD or Through Hole | WS2512-TR1G.pdf | |
![]() | TCFGP0J106M8R-Z | TCFGP0J106M8R-Z ROHM SMD or Through Hole | TCFGP0J106M8R-Z.pdf | |
![]() | 2SC5880-Q | 2SC5880-Q ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SC5880-Q.pdf | |
![]() | nts4141n | nts4141n ORIGINAL SMD or Through Hole | nts4141n.pdf | |
![]() | MPSA60 | MPSA60 HJ TO-92 | MPSA60.pdf | |
![]() | 787844-4 | 787844-4 AMP con | 787844-4.pdf |