창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STU7N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STx7N60M2 | |
주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 950m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 271pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
공급 장치 패키지 | I-Pak | |
표준 포장 | 75 | |
다른 이름 | 497-13979-5 STU7N60M2-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STU7N60M2 | |
관련 링크 | STU7N, STU7N60M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | MALREKA00AA210LL0K | 10µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can 10.6 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | MALREKA00AA210LL0K.pdf | |
![]() | MJD117T4G | TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK | MJD117T4G.pdf | |
![]() | ERJ-3EKF4873V | RES SMD 487K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-3EKF4873V.pdf | |
![]() | RC0805DR-07115KL | RES SMD 115K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RC0805DR-07115KL.pdf | |
![]() | AA2010JK-071M2L | RES SMD 1.2M OHM 5% 3/4W 2010 | AA2010JK-071M2L.pdf | |
![]() | CMF5520K000DEEK | RES 20K OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5520K000DEEK.pdf | |
![]() | P51-75-S-AA-P-20MA-000-000 | Pressure Sensor 75 PSI (517.11 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-75-S-AA-P-20MA-000-000.pdf | |
![]() | 1SS283-T1 | 1SS283-T1 N/A 1206 | 1SS283-T1.pdf | |
![]() | IR2415 | IR2415 SHARP DIP14 | IR2415.pdf | |
![]() | SST29EE010-102-4I-NH | SST29EE010-102-4I-NH SST PLCC | SST29EE010-102-4I-NH.pdf | |
![]() | M50-4900645 | M50-4900645 HARWIN/WSI SMD or Through Hole | M50-4900645.pdf | |
![]() | TB3756 | TB3756 RCA SMD or Through Hole | TB3756.pdf |